Elektronikos dalys : GT30J12106

Gamintojas : Toshiba Semiconductor

Pakuotė :

Pin :

Aprašymas : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Temperatūra : Min °C | Maks °C

Datasheet : GT30J12106 PDF

• GT30J121
• GT30J12106
• GT30J121_06
• GT30J122